तत्वों के 1^{st} IP का गलत क्रम है | vedclass

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Question

(A) $1^{st}$ आयनन विभव $(IP)$ के रुझान इस प्रकार हैं:$1$. $Al$ $(13)$ और $Ga$ $(31)$ के लिए,$d$-इलेक्ट्रॉनों के दुर्बल परिरक्षण प्रभाव के कारण $Ga$ का

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$Al > Ga$

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(A) $1^{st}$ आयनन विभव $(IP)$ के रुझान इस प्रकार हैं:$1$. $Al$ $(13)$ और $Ga$ $(31)$ के लिए,$d$-इलेक्ट्रॉनों के दुर्बल परिरक्षण प्रभाव के कारण $Ga$ का $IP$,$Al$ से अधिक होता है,इसलिए $Al $2$. $P$ $(15)$ और $S$ $(16)$ के लिए,$P$ का अर्ध-पूर्ण $p$-कक्षक विन्यास $(3s^2 3p^3)$ इसे $S$ $(3s^2 3p^4)$ की तुलना में अधिक स्थिर बनाता है। अतः $P > S$ सही है।$3$. $Cu$ और $Zn$ के लिए,$Zn$ का पूर्ण भरा हुआ $d^{10}s^2$ विन्यास इसे $Cu$ से अधिक $IP$ देता है। अतः $Cu $4$. $Zr$ और $Hf$ के लिए,लैंथेनाइड संकुचन के कारण $Hf$ का $IP$,$Zr$ से अधिक होता है। अतः $Zr इस प्रकार,$Al > Ga$ गलत क्रम है।

तत्वों के $1^{st}$ $IP$ का गलत क्रम है

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